Ученым нашли способ улучшить память

Революционный мозговой имплантат разработали специалисты из Университета Южной Калифорнии. Он стимулирует область мозга, связанную с обучением и памятью. Благодаря имплантату участники эксперимента начали существенно лучше справляться с заданием на память.

В исследовании приняли участие 20 человек с эпилепсией, у которых в мозге были электроды, нацеленные на гиппокамп (центр памяти). Добровольцы выполняли задание на кратковременную память.
После тренировки ученые построили модель активности нейронов участников в процессе выполнения задания.

Когда участники выполняли задание во второй раз, исследователи стимулировали их мозг с помощью имплантата, опираясь на модель. Исследование показало: благодаря стимуляции мозга участники стали справляться с заданием на 30% лучше. Специалисты надеются, что новый метод поможет людям с нарушениями памяти.